VBsemi (Wei Bi)
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IPD042P03L3G-VB IPD042P03L3G-VB

IPD042P03L3G-VB

IPD042P03L3G-VB
Numéro d'article
IPD042P03L3G-VB
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
TO252
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
P-channel, -30V, -60A, RDS(ON), 9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); -1.71Vth(V); TO252
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Coordonnées
Mots-clés de IPD042P03L3G-VB
IPD042P03L3G-VB Composants électroniques
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