VBsemi (Wei Bi)
L'image peut être une représentation.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
Voir les spécifications pour les détails du produit.
FDT457N-VB
FDT457N-VB
Numéro d'article
FDT457N-VB
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
VBsemi (Wei Bi)
Encapsulation
SOT223-3
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
N-channel, 30V, 7A, RDS(ON), 25mΩ@10V, 38mΩ@4.5V, 20Vgs(±V); 1.5Vth(V); SOT223
Citation requise
Veuillez remplir tous les champs obligatoires et cliquez sur "SOUMETTRE", nous vous contacterons dans les 12 heures par e-mail. Si vous avez un problème, veuillez laisser des messages ou un e-mail à [email protected], nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
En stock 97499 PCS
Coordonnées
Produits connexes
N-Channel 30V 6.3A N-Channel, 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor, 30V, 6.3A, 45mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 30V 5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 5A, 60mΩ
onsemi (Ansemi)
N-Channel 500V 2A Power MOSFET, N-Channel, UniFET II, Ultra FRFET, 500 V, 2 A, 3.0 Ω, SOT223
onsemi (Ansemi)
Mots-clés de FDT457N-VB
FDT457N-VB Composants électroniques
FDT457N-VB Ventes
FDT457N-VB Fournisseur
FDT457N-VB Distributeur
FDT457N-VB Tableau de données
FDT457N-VB Photos
FDT457N-VB Prix
FDT457N-VB Offre
FDT457N-VB Prix le plus bas
FDT457N-VB Recherche
FDT457N-VB Achat
FDT457N-VB Chip