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onsemi (Ansemi)

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FDG6303N

Numéro d'article

FDG6303N

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

onsemi (Ansemi)

Encapsulation

SC-70-6

Emballage

taping

Nombre de paquets

3000

Description

These Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild Semiconductor's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-resistance. The device is specifically designed for low-voltage applications to replace bipolar digital transistors and small-signal MOSFETS.

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En stock 65812 PCS

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