DIODES (US and Taiwan)
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DGD2012S8-13 Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A

DGD2012S8-13

Half-bridge MOSFET sink current 1.9A source current 2.3A
Numéro d'article
DGD2012S8-13
Catégorie
Power Chip > Gate Driver IC
Fabricant/Marque
DIODES (US and Taiwan)
Encapsulation
SO-8
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
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Coordonnées
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DGD2012S8-13 Composants électroniques
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