Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
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CMD12P10B P channel -100V -12A

CMD12P10B

P channel -100V -12A
Numéro d'article
CMD12P10B
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
Encapsulation
TO-252
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
Semiconductor transistor field effect transistor MOS tube, TO-252, P channel, withstand voltage: -100V, current: -12A, 10V internal resistance (Max): 0.26Ω, 4.5V internal resistance (Max): 0.28Ω, power: 75W
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