MSKSEMI (Mesenco)
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BVSS138LT1G
BVSS138LT1G
Numéro d'article
BVSS138LT1G
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulation
SOT-23
Emballage
taping
Nombre de paquets
3000
Description
MOS tube type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 55V Continuous drain current (Id): 0.3A Power (Pd): 0.35W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ@10V ,0.2A threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V-1.6V@250uA
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Mots-clés de BVSS138LT1G
BVSS138LT1G Composants électroniques
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