AGM-Semi (core control source)
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AGM609D
AGM609D
Numéro d'article
AGM609D
Catégorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricant/Marque
AGM-Semi (core control source)
Encapsulation
TO-252
Emballage
taping
Nombre de paquets
2500
Description
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 62.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 6.5mΩ@10V, 30A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 52.1nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.1nF@30V , Vds=60v Id=60A Rds=6.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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