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AGM-Semi (core control source)

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AGM1099E

Numéro d'article

AGM1099E

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

SOT-23-3

Emballage

taping

Nombre de paquets

3000

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 5.0A Power (Pd): 3.1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,4A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 3.57nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 0.182nF@50V , Vds=100V Id=5.0A Rds=100mΩ ,Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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