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AGM-Semi (core control source)

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AGM042N10D

Numéro d'article

AGM042N10D

Catégorie

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricant/Marque

AGM-Semi (core control source)

Encapsulation

TO-252

Emballage

taping

Nombre de paquets

2500

Description

Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 110A Power (Pd): 125W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 65.5nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 3.58nF@50V , Vds=100V Id=110A Rds=4.1mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)

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