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SIHD9N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Numéro d'article
SIHD9N60E-GE3
Fabricant/Marque
Série
E
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
D-PAK (TO-252AA)
Dissipation de puissance (maximum)
78W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
368 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
778pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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