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SI8819EDB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Numéro d'article

SI8819EDB-T2-E1

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-XFBGA

Package d'appareil du fournisseur

4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

Dissipation de puissance (maximum)

900mW (Ta)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

2.9A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 1.5A, 3.7V

Vgs(e) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 3.7V

Vgs (Max)

±8V

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