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SI7172ADP-T1-RE3

SI7172ADP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Numéro d'article
SI7172ADP-T1-RE3
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 125°C
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
PowerPAK® SO-8
Package d'appareil du fournisseur
PowerPAK® SO-8
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
-
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Vgs (Max)
-
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Mots-clés de SI7172ADP-T1-RE3
SI7172ADP-T1-RE3 Composants électroniques
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