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SI1967DH-T1-E3

SI1967DH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
Numéro d'article
SI1967DH-T1-E3
Fabricant/Marque
Série
TrenchFET®
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Puissance - Max
1.25W
Package d'appareil du fournisseur
SC-70-6 (SOT-363)
Type FET
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.3A
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
490 mOhm @ 910mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
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Mots-clés de SI1967DH-T1-E3
SI1967DH-T1-E3 Composants électroniques
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