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IRFI620G

MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP

Numéro d'article

IRFI620G

Fabricant/Marque

Vishay Siliconix

Série

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)

30W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

200V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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