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IRFBC20SPBF

IRFBC20SPBF

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK
Numéro d'article
IRFBC20SPBF
Fabricant/Marque
Série
-
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareil du fournisseur
D2PAK
Dissipation de puissance (maximum)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
2.2A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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En stock 32355 PCS
Coordonnées
Mots-clés de IRFBC20SPBF
IRFBC20SPBF Composants électroniques
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