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TPH3207WS

MOSFET N-CH 650V 50A TO247

Numéro d'article

TPH3207WS

Fabricant/Marque

Transphorm

Série

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tube

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247

Dissipation de puissance (maximum)

178W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

50A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 32A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.65V @ 700µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 8V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2197pF @ 400V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

Vgs (Max)

±18V

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