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CSD25483F4

CSD25483F4

MOSFET P-CH 20V LGA
Numéro d'article
CSD25483F4
Fabricant/Marque
Série
NexFET™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
3-XFDFN
Package d'appareil du fournisseur
3-PICOSTAR
Dissipation de puissance (maximum)
500mW (Ta)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.6A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
205 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs(e) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0.959nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
198pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
-12V
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Coordonnées
Mots-clés de CSD25483F4
CSD25483F4 Composants électroniques
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