Acheter Texas Instruments CSD25310Q2T 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

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CSD25310Q2T

20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Numéro d'article

CSD25310Q2T

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-WSON (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

2.9W (Ta)

Type FET

P-Channel

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

20A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

23.9 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

655pF @ 10V

Vgs (Max)

±8V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

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