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CSD19538Q2T

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

Numéro d'article

CSD19538Q2T

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-WSON (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

2.5W (Ta), 20.2W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

100V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

13.1A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

454pF @ 50V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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