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CSD19503KCS

MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3

Numéro d'article

CSD19503KCS

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-220-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-220-3

Dissipation de puissance (maximum)

188W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

80V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

9.2 mOhm @ 60A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2730pF @ 40V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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