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CSD18535KTT

MOSFET N-CH 60V 200A

Numéro d'article

CSD18535KTT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Package d'appareil du fournisseur

DDPAK/TO-263-3

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

200A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6620pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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