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CSD18532NQ5BT

MOSFET N-CH 60V 100A

Numéro d'article

CSD18532NQ5BT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSON-CLIP (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta), 156W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5340pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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