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CSD18510KTT

GEN1.4 40V-20V

Numéro d'article

CSD18510KTT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Package d'appareil du fournisseur

DDPAK/TO-263-3

Dissipation de puissance (maximum)

250W (Ta)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

274A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11400pF @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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