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CSD18502Q5BT

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Numéro d'article

CSD18502Q5BT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSON-CLIP (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

40V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5070pF @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

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