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CSD17318Q2

30V N CH MOSFET

Numéro d'article

CSD17318Q2

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-WDFN Exposed Pad

Package d'appareil du fournisseur

6-WSON (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

16W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

25A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15.1 mOhm @ 8A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

879pF @ 15V

Vgs (Max)

±10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 8V

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