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CSD17310Q5A

MOSFET N-CH 30V 100A 8SON

Numéro d'article

CSD17310Q5A

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSONP (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Ta), 100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5.1 mOhm @ 20A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1560pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Vgs (Max)

+10V, -8V

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