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CSD16556Q5B

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

Numéro d'article

CSD16556Q5B

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSONP (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3.2W (Ta), 191W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

100A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

1.07 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.7V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6180pF @ 15V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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