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CSD16412Q5A

MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON

Numéro d'article

CSD16412Q5A

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSONP (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14A (Ta), 52A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 12.5V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

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