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CSD16411Q3

MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON

Numéro d'article

CSD16411Q3

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSON (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

2.7W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

14A (Ta), 56A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 12.5V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+16V, -12V

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