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CSD16323Q3

MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON

Numéro d'article

CSD16323Q3

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

3W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Ta), 60A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 24A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 12.5V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Vgs (Max)

+10V, -8V

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