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CSD16322Q5C

MOSFET N-CH 25V 97A 8SON

Numéro d'article

CSD16322Q5C

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Not For New Designs

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerTDFN

Package d'appareil du fournisseur

8-SON

Dissipation de puissance (maximum)

3.1W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

25V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

21A (Ta), 97A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 20A, 8V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1365pF @ 12.5V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 8V

Vgs (Max)

+10V, -8V

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