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CSD13306WT

MOSFET N-CH 12V 6DSBGA

Numéro d'article

CSD13306WT

Fabricant/Marque

Texas Instruments

Série

NexFET™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-UFBGA, DSBGA

Package d'appareil du fournisseur

6-DSBGA (1x1.5)

Dissipation de puissance (maximum)

1.9W (Ta)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

12V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

3.5A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 6V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±10V

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