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STWA50N65DM2AG

POWER TRANSISTORS

Numéro d'article

STWA50N65DM2AG

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Statut de la pièce

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Through Hole

Colis/Caisse

TO-247-3

Package d'appareil du fournisseur

TO-247

Dissipation de puissance (maximum)

300W (Tc)

Type FET

N-Channel

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

38A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

87 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 100V

Vgs (Max)

±25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

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