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STS9P2UH7

STS9P2UH7

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
Numéro d'article
STS9P2UH7
Fabricant/Marque
Série
STripFET™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2.7W (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
9A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
22.5 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2390pF @ 16V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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Coordonnées
Mots-clés de STS9P2UH7
STS9P2UH7 Composants électroniques
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