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STS3P6F6

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

Numéro d'article

STS3P6F6

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

DeepGATE™, STripFET™ VI

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2.7W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.4nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 48V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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