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STS1NK60Z

MOSFET N-CH 600V 0.25A 8-SOIC

Numéro d'article

STS1NK60Z

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

SuperMESH™

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Package d'appareil du fournisseur

8-SO

Dissipation de puissance (maximum)

2W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

600V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

250mA (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

15 Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

94pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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