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STS1HNK60

STS1HNK60

MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC
Numéro d'article
STS1HNK60
Fabricant/Marque
Série
SuperMESH™
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur
8-SO
Dissipation de puissance (maximum)
2W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
300mA (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
156pF @ 25V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
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Coordonnées
Mots-clés de STS1HNK60
STS1HNK60 Composants électroniques
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