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STR1P2UH7
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
Numéro d'article
STR1P2UH7
Fabricant/Marque
Série
STripFET™ H7
Statut de la pièce
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur
SOT-23
Dissipation de puissance (maximum)
350mW (Tc)
Type FET
P-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
20V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
1.4A (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs(e) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 10V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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