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STP8N120K5

STP8N120K5

MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220
Numéro d'article
STP8N120K5
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ K5
Statut de la pièce
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220
Dissipation de puissance (maximum)
130W (Tc)
Type FET
N-Channel
Tension drain-source (Vdss)
1200V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
6A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13.7nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
505pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
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Mots-clés de STP8N120K5
STP8N120K5 Composants électroniques
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