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STP25NM60ND
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
Numéro d'article
STP25NM60ND
Fabricant/Marque
Série
FDmesh™ II
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Colis/Caisse
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur
TO-220AB
Dissipation de puissance (maximum)
160W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
21A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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