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STL4P2UH7

MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2

Numéro d'article

STL4P2UH7

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

DeepGATE™, STripFET™ VII

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

6-PowerWDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerFlat™ (2x2)

Dissipation de puissance (maximum)

2.4W (Tc)

Type FET

P-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

4A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(e) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 10V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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