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STL33N65M2
N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
Numéro d'article
STL33N65M2
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
4-PowerFlat™ HV
Package d'appareil du fournisseur
PowerFlat™ (8x8) HV
Dissipation de puissance (maximum)
150W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
20A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
154 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1790pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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