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STL18N65M2
MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT
Numéro d'article
STL18N65M2
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ M2
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur
PowerFlat™ (5x6)
Dissipation de puissance (maximum)
57W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
650V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
8A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
365 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
764pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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