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STL17N65M5

MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

Numéro d'article

STL17N65M5

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ V

Statut de la pièce

Active

Emballage

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

4-PowerFlat™ HV

Package d'appareil du fournisseur

PowerFlat™ (8x8) HV

Dissipation de puissance (maximum)

2.8W (Ta), 70W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

650V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

1.8A (Ta), 10A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

374 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

816pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±25V

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