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STL11N6F7

MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT

Numéro d'article

STL11N6F7

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

STripFET™

Statut de la pièce

Discontinued at Digi-Key

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerFlat™ (3.3x3.3)

Dissipation de puissance (maximum)

2.9W (Ta), 48W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

60V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

11A (Ta)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 30V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±20V

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