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STL11N60M2-EP

STL11N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V PWRFLAT 5X6
Numéro d'article
STL11N60M2-EP
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™ M2-EP
Statut de la pièce
Active
Emballage
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
-
Package d'appareil du fournisseur
PowerFLAT™ (5x5)
Dissipation de puissance (maximum)
-
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
600V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
-
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(e) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
Vgs (Max)
-
Citation requise
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Coordonnées
Mots-clés de STL11N60M2-EP
STL11N60M2-EP Composants électroniques
STL11N60M2-EP Ventes
STL11N60M2-EP Fournisseur
STL11N60M2-EP Distributeur
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