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STL110NS3LLH7

MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT

Numéro d'article

STL110NS3LLH7

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

STripFET™ H7

Statut de la pièce

Obsolete

Emballage

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerFlat™ (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

4W (Ta), 75W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

30V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

120A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

13.7nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2110pF @ 25V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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