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STL10LN80K5

MOSFET N-CH 800V 6A POWERFLAT

Numéro d'article

STL10LN80K5

Fabricant/Marque

STMicroelectronics

Série

MDmesh™ K5

Statut de la pièce

Active

Emballage

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Colis/Caisse

8-PowerVDFN

Package d'appareil du fournisseur

PowerFlat™ (5x6)

Dissipation de puissance (maximum)

42W (Tc)

Type FET

N-Channel

Fonctionnalité FET

Tension drain-source (Vdss)

800V

Courant - Drain continu (Id) à 25 °C

6A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs

660 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(e) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

427pF @ 100V

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (Max)

±30V

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