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STH270N8F7-6

STH270N8F7-6

MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Numéro d'article
STH270N8F7-6
Fabricant/Marque
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Statut de la pièce
Active
Emballage
Digi-Reel®
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Package d'appareil du fournisseur
H²PAK
Dissipation de puissance (maximum)
315W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
80V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
180A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
193nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13600pF @ 50V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
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Mots-clés de STH270N8F7-6
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