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STD12N50DM2
N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP.,
Numéro d'article
STD12N50DM2
Fabricant/Marque
Série
MDmesh™
Statut de la pièce
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Colis/Caisse
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur
DPAK
Dissipation de puissance (maximum)
110W (Tc)
Type FET
N-Channel
Fonctionnalité FET
-
Tension drain-source (Vdss)
500V
Courant - Drain continu (Id) à 25 °C
11A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(e) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
628pF @ 100V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±25V
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